矽基版N極性氮化鎵/氮化鋁鎵之磊晶和元件開發;N-Polar Gan/Algan/Gan Hemts on Si Substrate

NCU Institutional Repository > 資訊電機學院 > 電機工程學系 > 研究計畫 > Item 987654321/94267

請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/94267

題名:	矽基版N極性氮化鎵/氮化鋁鎵之磊晶和元件開發;N-Polar Gan/Algan/Gan Hemts on Si Substrate
作者:	辛裕明;綦振瀛
貢獻者:	國立中央大學電機工程學系
關鍵詞:	氮極性氮化鎵;鎵極性氮化鎵;高電子遷移率電晶體;N-polar;Ga-polar;HEMT
日期:	2024-09-27
上傳時間:	2024-09-30 17:22:29 (UTC+8)
出版者:	國家科學及技術委員會(本會)
摘要:	此二年計畫規劃進行第一年的矽基板N-polar GaN/AlGaN/GaN磊晶開發，第二年的矽基板N-polar GaN/AlGaN/GaN磊晶優化和D/E-mode元件製作。開發矽基板N-polar GaN磊晶片對後續功率元件及高頻元件開發都有顯著科技價值，而在商業上也將降低廠商對不同基板的導入障礙。MOCVD對比MBE更適合做GaN異質接面磊晶結構之量產，藉由MOCVD生長之矽基板N-polar GaN元件的研究卻相對稀少，此計畫的實行可以結合成熟的GaN材料系統磊晶經驗跟AlGaN/GaN HEMT的研究基礎，投入N-polar元件的研究開發，建立國內在此領域之利基。
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[電機工程學系] 研究計畫

文件中的檔案:

檔案	描述	大小	格式	瀏覽次數
index.html		0Kb	HTML	32	檢視/開啟

在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

社群 sharing