採用PERC底層架構之鈣鈦礦/矽晶堆疊式電池:PERC電池正面鈍化導電層技術開發;Perovskite–Silicon Tandem Solar Cells Based on Perc Technology: Development of the Front-Side Passivating Conductive Contact Layer of Perc Bottom Cells

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Title:	採用PERC底層架構之鈣鈦礦/矽晶堆疊式電池:PERC電池正面鈍化導電層技術開發;Perovskite–Silicon Tandem Solar Cells Based on Perc Technology: Development of the Front-Side Passivating Conductive Contact Layer of Perc Bottom Cells
Authors:	陳一塵
Contributors:	國立中央大學材料科學與工程研究所
Keywords:	透明導電氧化物薄膜;鈍化層;局部射極及背面鈍化結構;鈣鈦礦-矽晶堆疊式結構太陽能電池;Transparent oxide films;Passivation layer;Passivated emitter and rear contact;Perovskite-Si tandem cells
Date:	2024-09-27
Issue Date:	2024-09-30 16:10:58 (UTC+8)
Publisher:	國家科學及技術委員會(本會)
Abstract:	串疊型鈣鈦礦-矽晶太陽能電池(PVK/c-Si tandem cells)是未來新一代太陽能電池的主要發展方向，國內業界在投入串疊型電池技術開發仍在起步階段。由於目前矽晶電池市場的主流為PERC結構電池，因此本計劃以PERC電池結構為基礎，進行開發其正面透明導電鈍化傳導層製程技術，將可使PERC結構適用於製作高效率PVK/c-Si 串疊電池。由於本計畫所開發之技術可良好結合業界目前採用之PERC製程設備與生產流程，可大幅降低串疊型電池的研發與製作成本。
Relation:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
Appears in Collections:	[Institute of Materials Science and Engineering] Research Project

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