以有機金屬蒸氣沉積法磊晶成長III族氮化物於新穎基板;Epitaxial Growth of II i-Nitrides on Novel Substrates by Mocvd

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题名:	以有機金屬蒸氣沉積法磊晶成長III族氮化物於新穎基板;Epitaxial Growth of II i-Nitrides on Novel Substrates by Mocvd
作者:	綦振瀛
贡献者:	國立中央大學電機工程學系
关键词:	矽;碳化矽;鑽石;氮化鎵;磊晶;Si;SiC;Diamond;GaN;epitaxy
日期:	2024-01-26
上传时间:	2024-09-18 14:52:54 (UTC+8)
出版者:	國家科學及技術委員會
摘要:	此計畫針對氮化鎵元件未來的應用與現有問題，研發更具競爭力之磊晶技術，可拓展氮化鎵元件發展之新機會，提升我國電力電子與通訊電子半導體產業之競爭力
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
显示于类别:	[電機工程學系] 研究計畫

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