English  |  正體中文  |  简体中文  |  全文筆數/總筆數 : 80990/80990 (100%)
造訪人次 : 42385579      線上人數 : 440
RC Version 7.0 © Powered By DSPACE, MIT. Enhanced by NTU Library IR team.
搜尋範圍 查詢小技巧:
  • 您可在西文檢索詞彙前後加上"雙引號",以獲取較精準的檢索結果
  • 若欲以作者姓名搜尋,建議至進階搜尋限定作者欄位,可獲得較完整資料
  • 進階搜尋


    請使用永久網址來引用或連結此文件: http://ir.lib.ncu.edu.tw/handle/987654321/7356


    題名: 氮化鎵磊晶矽離子佈植活化度之研究;Activation efficiency analysis of Si-Implanted n-GaN
    作者: 林平盛;Ping-Sheng Lin
    貢獻者: 物理研究所
    關鍵詞: ;氮化鎵;氮化鋁;GaN;Si;AlN
    日期: 2005-06-24
    上傳時間: 2009-09-22 10:56:13 (UTC+8)
    出版者: 國立中央大學圖書館
    摘要: 摘 要 本實驗為研究氮化鋁保護層對活化矽離子佈植氮化鎵的影響。利用氮化鋁作為保護層,可減少氮化鎵在高溫熱退火中表面氮的損失,進而提升在較高活化溫度實現高活化率。 我們在室溫下利用氮化鋁靶材射頻濺鍍成長氮化鋁薄膜,發現增加濺鍍功率和氬氣流率可提高氮的含量,使得氮和鋁含量比例更接近實際的氮化鋁薄膜,其特性在高溫下更為穩定,所以更適合作為高溫活化的保護層。 在使用氮化鋁保護層活化矽離子佈植氮化鎵的實驗中,未加氮化鋁保護層的試片僅能做熱退火至1100℃,其活化率約為25%,在更高的熱退火溫度中,活化率因氮化鎵表面的破壞明顯下降。反觀有加氮化鋁保護層的試片則可做熱退火至1200℃,其活化率則明顯提升到75%。 Abstract The application of AlN capping layer on Si-implanted GaN was studied. Under high temperature annealing, AlN capping layer can decreases the loss of nitrogen from GaN surface, and achieve high activation efficiency. We use Aluminum Nitride (AlN) as target material of radio-frequency sputter to grow the AlN films at room temperature. While increasing RF power and gas flow rate of Ar, we find that can increases the percentage of nitrogen in AlN films. These AlN films are suitable for the capping layer due to the high stability under high temperature annealing environment. The activation efficiency is about 25% of samples without AlN capping layer annealed at 1100℃. The activation efficiency will obviously drop because of the destruction of the GaN surface at temperature higher than 1150℃. However, samples with AlN capping layer annealed at 1200℃, the activation efficiency can be 75%.
    顯示於類別:[物理研究所] 博碩士論文

    文件中的檔案:

    檔案 大小格式瀏覽次數


    在NCUIR中所有的資料項目都受到原著作權保護.

    社群 sharing

    ::: Copyright National Central University. | 國立中央大學圖書館版權所有 | 收藏本站 | 設為首頁 | 最佳瀏覽畫面: 1024*768 | 建站日期:8-24-2009 :::
    DSpace Software Copyright © 2002-2004  MIT &  Hewlett-Packard  /   Enhanced by   NTU Library IR team Copyright ©   - 隱私權政策聲明