成長於6吋矽基板之氮化鎵功率元件( III );GaN Power Devices Grown on 6 Inch Silicon Substrate( III )

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题名:	成長於6吋矽基板之氮化鎵功率元件( III );GaN Power Devices Grown on 6 Inch Silicon Substrate( III )
作者:	綦振瀛
贡献者:	國立中央大學電機工程學系
关键词:	電子電機工程;光電工程
日期:	2014-09-10
上传时间:	2014-09-10 15:24:06 (UTC+8)
出版者:	科技部
摘要:	研究期間：10306~10405
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
显示于类别:	[電機工程學系] 研究計畫

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