Improved CMOS microwave linearity based on the modified large-signal BSIM model

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題名:	Improved CMOS microwave linearity based on the modified large-signal BSIM model
作者:	Lai,HH;Hsiao,CC;Kuo,CW;Chan,YJ;Sato,T
貢獻者:	電機工程研究所
日期:	2004
上傳時間:	2010-07-06 18:26:44 (UTC+8)
出版者:	中央大學
摘要:	A modified 0.35 mum gate-length MOSFET large-signal microwave device model, based on the widely used BSIM3 model, is presented in this report. This large-signal microwave model includes a BSIM3 model together with the passive components required to fit th
關聯:	IEICE TRANSACTIONS ON ELECTRONICS
顯示於類別:	[電機工程研究所] 期刊論文

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