高速場效應電晶體製作及特性分析; The Fabrication and Characterization of High Election Mobility Transistors(HEMT's)

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題名:	高速場效應電晶體製作及特性分析;The Fabrication and Characterization of High Election Mobility Transistors(HEMT's)
作者:	詹益仁;綦振瀛
貢獻者:	電機工程研究所
關鍵詞:	高速場效應電晶體;歐姆接觸;低頻雜訊分析;銦鋁砷;銦鎵砷;HEMT;Ohmic contact;Low-frequency characterization;InAlAs;InGaAs;電子電機工程類
日期:	1993-07-01
上傳時間:	2010-05-28 10:25:01 (UTC+8)
出版者:	行政院國家科學委員會
摘要:	本計畫為一兩年的計畫,最主要的目的是在建立起本系固態電子實驗室在製作場效電晶體(FET's , Lg=0.8μm)及元件低頻特性分析上的能力,以便提供製程及設計參數資料給後續微波積體電路( MMIC's)及光電積體電路(OEIC's)上的發展.在元件製作上,我們將利用光罩對準儀(MJB-3)建立起0.8μm的蝕刻技術,並研究Schottky及Ohmic接觸,以期建立起高可靠度的元件製造能力.AlGaAs/GaAs高速場效應電晶體將是第一年主要發展的目標,第二年我們將研究InAlAs/InGaAs的場效應電晶體.在元件低頻特性分析上,我們將先建立起低頻雜訊分析(Low-fre-quency Noise)及增益頻率響應(Gain Frequency Dispersion)的能力.這兩套設備將設計為由電腦自動控制,存取資料及執行運算.之後我們將利用這兩套低頻分析設備,研究所製作的AlGaAs/GaAs 和InAlAs/InGaAs HEMT's.尤其是對於深陷(DX-center)的分析,並設計新的元件結構,以克服此DX-center對元件所造成不利的影響.研究期間：8108 ~ 8207
關聯:	財團法人國家實驗研究院科技政策研究與資訊中心
顯示於類別:	[電機工程研究所] 研究計畫

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